IBM y Samsung prometen un avance en baterías móviles

Las corporaciones IBM y Samsung se aliaron para desarrollar un nuevo diseño vertical para los semiconductores, que promete mejoras notorias de rendimiento y en la gestión de energía.

 

Madrid, España. Las compañías IBM(International Business Machines Corporation) y Samsung trabajan en un chip que supondrá un antes y un después en la durabilidad de las baterías de los dispositivos. El semiconductor permitirá que los smartphones sean capaces de aguantar una semana sin necesidad de cargarse.

Según las sociedades que están detrás de este chip, su nuevo modelo de ‘Transistores de Efecto de Campo de Transporte Vertical’ (VTFET), es el predecesor de la tecnología que se usa actualmente el transistor de efecto de campo de aleta  (FinFET), con este cambio, se podrían fabricar semiconductores de mayor densidad de transistores que los de ahora.

 

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El semiconductor permitirá que los smartphones sean capaces de aguantar una semana sin necesidad de cargarse. RCV

 

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PROYECTO

El el diseño, la corriente irá hacia arriba y hacia abajo a través de la pila de transistores en lugar del método tradicional en el que va de un lado a otro. Según cuentan, la nueva técnica es mucho más eficiente que la utilizada actualmente.

A principios de este año, ya se mostró el primer chip que logra una acumulación de más transistores al aumentar la cantidad que se puede colocar en un semiconductor con FinFET. Con VTFET, la eficiencia sería todavía más Superior. Mientras tanto,  las compañías trabajan en este nuevo método que será más eficientes para los celulares móviles.

 

Redacción: Cinthia Raudales. 

 

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